檢測信息（部分）

什么是半導(dǎo)體檢測？

半導(dǎo)體檢測是通過 手段對半導(dǎo)體材料和器件的性能、可靠性及缺陷進(jìn)行分析與驗證的過程。

半導(dǎo)體產(chǎn)品的主要用途有哪些？

廣泛應(yīng)用于集成電路、光電器件、功率器件、傳感器等領(lǐng)域，覆蓋消費電子、汽車電子、通信設(shè)備等行業(yè)。

半導(dǎo)體檢測的核心目標(biāo)是什么？

確保產(chǎn)品符合設(shè)計規(guī)格，識別制造缺陷，驗證電學(xué)特性，并提升器件壽命與穩(wěn)定性。

檢測周期通常需要多久？

根據(jù)檢測項目復(fù)雜度，周期從24小時到15個工作日不等。

檢測報告包含哪些內(nèi)容？

涵蓋樣品信息、檢測方法、參數(shù)結(jié)果、缺陷分析及合規(guī)性結(jié)論等核心模塊。

檢測項目（部分）

• 擊穿電壓：表征器件承受高壓的能力閾值
• 載流子遷移率：反映半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的核心指標(biāo)
• 界面態(tài)密度：衡量半導(dǎo)體界面缺陷濃度的重要參數(shù)
• 漏電流：評估器件絕緣性能的關(guān)鍵數(shù)據(jù)
• 熱阻系數(shù)：表征器件散熱能力的核心參數(shù)
• 晶體缺陷：檢測晶格結(jié)構(gòu)完整性的微觀分析
• 摻雜濃度：確定半導(dǎo)體材料改性程度的基礎(chǔ)指標(biāo)
• 閾值電壓：界定器件開關(guān)特性的關(guān)鍵電學(xué)參數(shù)
• 結(jié)深測量：評估PN結(jié)工藝質(zhì)量的重要維度
• 表面粗糙度：影響器件可靠性的表面形貌特征
• 遷移率退化：評估器件使用壽命的加速老化測試
• 寄生電容：制約高頻性能的關(guān)鍵電路參數(shù)
• 歐姆接觸：驗證金屬-半導(dǎo)體接觸質(zhì)量的必要測試
• 抗輻射性：航天級器件的特殊環(huán)境適應(yīng)性檢測
• 封裝氣密性：確保器件環(huán)境耐受性的封裝測試
• 鍵合強(qiáng)度：評估封裝結(jié)構(gòu)機(jī)械穩(wěn)定性的核心指標(biāo)
• 熱循環(huán)測試：驗證器件溫度適應(yīng)性的可靠性實驗
• 電磁兼容：檢測器件抗電磁干擾能力的專項測試
• 噪聲系數(shù)：表征器件信號保真度的高頻參數(shù)
• 失效分析：定位產(chǎn)品故障根源的綜合診斷項目

檢測范圍（部分）

• 硅基半導(dǎo)體器件
• 化合物半導(dǎo)體器件
• 功率MOSFET
• IGBT模塊
• 存儲芯片
• 邏輯芯片
• 模擬芯片
• 射頻器件
• 光敏二極管
• 激光二極管
• 圖像傳感器
• MEMS傳感器
• 晶圓材料
• 封裝基板
• 引線框架
• 鍵合絲材
• 散熱基板
• 光刻膠材料
• 電子級化學(xué)品
• 特種氣體材料

檢測儀器（部分）

• 四探針測試儀
• 掃描電子顯微鏡
• 原子力顯微鏡
• 二次離子質(zhì)譜儀
• X射線衍射儀
• 深能級瞬態(tài)譜儀
• 熱釋電分析儀
• 激光掃描共聚焦顯微鏡
• 高低溫探針臺
• 飛秒激光測試系統(tǒng)

檢測標(biāo)準(zhǔn)（部分）

GB/T 249-2017半導(dǎo)體分立器件型號命名方法

GB/T 1550-2018非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T 1555-2009半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T 2900.32-1994電工術(shù)語 電力半導(dǎo)體器件

GB/T 2900.66-2004電工術(shù)語 半導(dǎo)體器件和集成電路

GB/T 3430-1989半導(dǎo)體集成電路型號命名方法

GB/T 3431.2-1986半導(dǎo)體集成電路文字符號 引出端功能符號

GB/T 3436-1996半導(dǎo)體集成電路運算放大器系列和品種

GB/T 3859.1-2013半導(dǎo)體變流器 通用要求和電網(wǎng)換相變流器 第1-1部分：基本要求規(guī)范

GB/T 3859.2-2013半導(dǎo)體變流器 通用要求和電網(wǎng)換相變流器 第1-2部分：應(yīng)用導(dǎo)則

GB/T 3859.3-2013半導(dǎo)體變流器 通用要求和電網(wǎng)換相變流器 第1-3部分：變壓器和電抗器

GB/T 3859.4-2004半導(dǎo)體變流器 包括直接直流變流器的半導(dǎo)體自換相變流器

GB/T 3876-2017鉬及鉬合金板材

GB/T 4023-2015半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第2部分：整流二極管

GB/T 4079-1994用于電離輻射探測器的放大器和電荷靈敏前置放大器的測試方法

GB/T 4326-2006非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

GB 4343.1-2018家用電器、電動工具和類似器具的電磁兼容要求 第1部分：發(fā)射

GB/T 4376-1994半導(dǎo)體集成電路 電壓調(diào)整器系列和品種

GB/T 4377-2018半導(dǎo)體集成電路 電壓調(diào)整器測試方法

GB/T 4586-1994半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場效應(yīng)晶體管

檢測樣品（部分）

無機(jī)合成物半導(dǎo)體、元素半導(dǎo)體、有機(jī)合成物半導(dǎo)體、非晶態(tài)半導(dǎo)體、本征半導(dǎo)體等。

檢測優(yōu)勢

檢測資質(zhì)（部分）

檢測流程

1、中析檢測收到客戶的檢測需求委托。

2、確立檢測目標(biāo)和檢測需求

3、所在實驗室檢測工程師進(jìn)行報價。

4、客戶前期寄樣，將樣品寄送到相關(guān)實驗室。

5、工程師對樣品進(jìn)行樣品初檢、入庫以及編號處理。

6、確認(rèn)檢測需求，簽定保密協(xié)議書，保護(hù)客戶隱私。

7、成立對應(yīng)檢測小組，為客戶安排檢測項目及試驗。

8、7-15個工作日完成試驗，具體日期請依據(jù)工程師提供的日期為準(zhǔn)。

9、工程師整理檢測結(jié)果和數(shù)據(jù)，出具檢測報告書。

10、將報告以郵遞、傳真、電子郵件等方式送至客戶手中。

檢測優(yōu)勢

1、旗下實驗室用于CMA/CNAS/ISO等資質(zhì)、高新技術(shù)企業(yè)等多項榮譽證書。

2、檢測數(shù)據(jù)庫知識儲備大，檢測經(jīng)驗豐富。

3、檢測周期短，檢測費用低。

4、可依據(jù)客戶需求定制試驗計劃。

5、檢測設(shè)備齊全，實驗室體系完整

6、檢測工程師 知識過硬，檢測經(jīng)驗豐富。

7、可以運用36種語言編寫MSDS報告服務(wù)。

8、多家實驗室分支，支持上門取樣或寄樣檢測服務(wù)。

檢測實驗室（部分）

結(jié)語

以上為半導(dǎo)體檢測的檢測服務(wù)介紹,如有其他疑問可聯(lián)系在線工程師！